Модулі тисторні SKKT92,SKKT107,SKKT162,, SKKT250, SKKT273, SKKT570 Semikron

Модулі тисторні SKKT92/08E,SKKT162/08E,SKT213/12E,SKKT250/16E,SKKT250/16E Semikron містить два послідовно увімкнених тиристора в одному корпусі

SKKT570/16E — тиристор-тиристорний електроізольований модуль, середній струм 570 А, робоча напруга до 1600 В для випрямлячів, стабілізаторів, регуляторів.

SKKT570/16E — тиристорний модуль SEMIKRON

Має такі основні параметри:

VDRM — імпульсна (пікова) напруга в закритому стані тиристора — 1600 В
VRRM — імпульсна (пікова) зворотна напруга — 1600 В
ITRMS — Активне значення змінного струму у відкритому стані тиристора — 1000 А
ITAV — Середнє значення змінного струму у відкритому стані тиристора — 570 А
TC — Температура корпусу
ITSM — кидок струму у відкритому стані (ударний струм) тиристора — 119000 А
(dI/dt) cr — критичне значення швидкості наростання струму — 250 А/мкс
(dU/dt) cr — критичне значення швидкості наростання напруги — 1000 В/мкс
VT (TO) — Пряме падіння напруги у відкритому стані (порогова напруга) — 0,78 В
TVj — ефективна температура p-n переходу — 125 °C
Rth (j-c) — Тепловий опір p-n перехід-корпус — 0.069 / 0.034 К/Вт

SKKT250/16E — тиристор-тиристорний електроізольований модуль, середній струм 250 А, робоча напруга до 1600 В для випрямлячів, стабілізаторів, регуляторів.

SKKT250/16E — стильний модуль SEMIKRON

Має такі основні параметри:

VDRM — імпульсна (пікова) напруга в закритому стані тиристора — 1600 В
VRRM — імпульсна (пікова) зворотна напруга — 1600 В
ITRMS — Активне значення змінного струму у відкритому стані тиристора -566/471 А
ITAV — Середнє значення змінного струму у відкритому стані тиристора — 250 А
TC — Температура корпусу
ITSM — кидок струму у відкритому стані (ударний струм) тиристора -9000 А
(dI/dt) cr — критичне значення швидкості наростання струму — 250 А/мкс
(dU/dt) cr — критичне значення швидкості наростання напруги — 1000 В/мкс
VT (TO) — Пряме падіння напруги у відкритому стані (порогова напруга) — 0,925 В
TVj — ефективна температура p-n переходу — 125 °C
Rth (j-c) — Тепловий опір p-n перехід-корпус -0.14 / 0.07 К/Вт