Тиристор 5SGA 20H2501, 5SGA 25H2501
від 12 800 ₴
- Під замовлення
Відправка з 25 червня 2025
- +380 (66) 946-18-88
СПЕЦИФИКАЦИЯ
Производитель
ABB
Обратное напряжение макс.
2,5кВ
Прямой ток макс.
1,3кА
Прямой ток
830А
Ток управления
2,5А
Корпус
Ø93/63мм
Монтаж
Press-Pack
Импульсный ток
16кА
Характеристики полупроводниковых элементов
gate turn-off thyristor (GTO)
Gate turn-off Thyristor 5SGA 20H250·
VDRM = 2500 V ITGQM = 2000 A ITSM = 16 kA VT0 = 1.66 V rT = 0.57 mW VDClin = 1400 V
Patented free-floating silicon technology · Low on-state and switching losses · Annular gate electrode · Industry standard housing ·
Cosmic radiation withstand rating Blocking VDRM Repetitive peak off-state voltage 2500 V VGR ³ 2V VRRM
Repetitive peak reverse voltage 17 V IDRM Repetitive peak off-state current £ 30 mA VD = VDRM VGR ³ 2V IRRM
Repetitive peak reverse current £ 50 mA VR = VRRM RGK = ¥ VDClink Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate 1400 V -40 £ Tj £ 125 °C.
Ambient cosmic radiation at sea level in open air. Mechanical data (see Fig. 19) Fm min. 17 kN Mounting force max. 24 kN A Acceleration:
Device unclamped Device clamped 50 200 m/s2 m/s2 M Weight 0.8 kg DS Surface creepage distance ³ 22 mm Da Air strike distance ³ 13 mm
| Основні | |
|---|---|
| Вага | 800 г |
| Виробник | ABB |
| Країна виробник | Швейцарія |
| Охолодження | Примусове, Природне, Рідинне, Повітряне |
| Стан | Новий |
| Мінімальний струм управління | 2.5 А |
- Ціна: від 12 800 ₴
