
IGBT-модуль транзисторів FF600R12ME4 Infineon
8 000 ₴
- Під замовлення

+380 (67) 729-53-52
- +380 (66) 946-18-88
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Силовий IGBT модуль біполярних транзисторів з ізольованим закривом FF600R12ME4
Виробник: | Infineon | |
Категорія продукту: | Модулі біполярних транзисторів з ізольованим закривом (IGBT) | |
Продукт: | IGBT Silicon Modules | |
Конфігурація | Dual | |
Напруга колектор-емітер (VCEO), макс.: | 1200 V | |
Напруга насичення колектор-емітер: | 2.1 V | |
Безперервний колекторний струм за 25 °C: | 995 A | |
Струм витоку закрив-емітер: | 400 nA | |
Pd — розсіювання потужності: | 4050 W | |
Мінімальна робоча температура: | - 40 C | |
Максимальна робоча температура: | + 150 C | |
Паковання: | Tray | |
Технологія: | Si | |
Торгова марка: | Infineon Technologies | |
Вид монтажа: | Chassis Mount | |
Максимальна напруга затвор-емітер: | 20 V | |
Тип продукту: | IGBT Modules | |
Розмір фабричної упаковки: | 10 | |
Подкатегория: | IGBTs | |
Інші назви товару No: | FF600R12ME4BOSA1 SP000635448 FF600R12ME4BOSA1 | |
Вага виробу: | 345 g |
Характеристики
Основні | |
---|---|
Виробник | Infineon |
Тип транзистора | Біполярний |
Матеріал корпусу | Металокераміка |
Максимально допустима напруга колектор-емітер | 1000 В |
Максимально допустимий струм колектора | 900 А |
Максимальна потужність розсіювання | 4000 Вт |
Додаткові характеристики | |
Мінімальна робоча температура | -40 град. |
Максимальна робоча температура | 150 град. |
Інформація для замовлення
- Ціна: 8 000 ₴