IGBT-модуль транзисторів FF600R12ME4 Infineon
8 000 ₴
- Під замовлення
Відправка з 04 квітня 2026
IGBT-модуль транзисторів FF600R12ME4 InfineonПід замовлення
8 000 ₴
+380 (67) 729-53-52
- +380 (66) 946-18-88
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Силовий IGBT модуль біполярних транзисторів з ізольованим закривом FF600R12ME4
| Виробник: | Infineon | |
| Категорія продукту: | Модулі біполярних транзисторів з ізольованим закривом (IGBT) | |
| Продукт: | IGBT Silicon Modules | |
| Конфігурація | Dual | |
| Напруга колектор-емітер (VCEO), макс.: | 1200 V | |
| Напруга насичення колектор-емітер: | 2.1 V | |
| Безперервний колекторний струм за 25 °C: | 995 A | |
| Струм витоку закрив-емітер: | 400 nA | |
| Pd — розсіювання потужності: | 4050 W | |
| Мінімальна робоча температура: | - 40 C | |
| Максимальна робоча температура: | + 150 C | |
| Паковання: | Tray | |
| Технологія: | Si | |
| Торгова марка: | Infineon Technologies | |
| Вид монтажа: | Chassis Mount | |
| Максимальна напруга затвор-емітер: | 20 V | |
| Тип продукту: | IGBT Modules | |
| Розмір фабричної упаковки: | 10 | |
| Подкатегория: | IGBTs | |
| Інші назви товару No: | FF600R12ME4BOSA1 SP000635448 FF600R12ME4BOSA1 | |
| Вага виробу: | 345 g |
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Матеріал корпусу | Металокераміка |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 1000 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 900 А |
| Максимальна потужність розсіювання | 4000 Вт |
| Додаткові характеристики | |
| Мінімальна робоча температура | -40 град. |
| Максимальна робоча температура | 150 град. |
Інформація для замовлення
- Ціна: 8 000 ₴